2.吸附法(界面吸附作用)

在處理有機廢氣的方法中，吸附法也是控制大氣污染的重要手段之一，被廣泛應用于低濃度、高通量的VOCs處理。吸附法是利用某些具有吸附能力的物質如活性炭、硅膠、沸石分子篩、活性縱化鋁等吸附有害成分而達到消除有害污染的目的。與其他方法相比，其優點是去除效率高、能耗低、工藝成熟、脫附后溶劑可回收等;其主要缺點是設備龐大，流程復雜，投資后運行費用較高住有二次污染產生，當廢氣中有膠粒物質或其他雜質時，吸附劑易中毒。其吸附效果主要取決于吸附劑性質、氣相污染物種和吸附系統工藝條件(如操作溫度、濕度、壓力等因素)。目前活性炭是應用最廣的吸附劑。

吸附工藝：適合低濃度情況，需要提供能量進行脫附再生，脫附出來的高濃度污染物需要進行再處理。 燃燒工藝：適合高濃度情況，合適的設計工藝可以在只需要補充少量能源情況下維持燃燒，并且可以產生富裕能量，可以徹底分解污染物，催化燃燒的運行費用更低。

3.熱破壞法(燃燒反應)

熱破壞法是目前應用比較廣泛也是研究較多的VOCs處理方法，可以分為直接燃燒法、催化燃燒法和濃縮燃燒法。其破壞機理是氧化、熱裂解和熱分解，從而達到治理VOCs的日的。適合小風址,高濃度，連續排放的場合。其優點是設備簡單，投資少，操作方便，占地而積少，可以回收利用熱能，凈化徹底。

3.1蓄熱式焚燒技術（RTO）

其原理是把有機廢氣加熱到760℃（具體需要看成分）以上，使廢氣中的VOC在氧化分解成二氧化碳和水。氧化產生的高溫氣體流經特制的陶瓷蓄熱體，使陶瓷體升溫而“蓄熱”，此“蓄熱”用于預熱后續進入的有機廢氣。從而節省廢氣升溫的燃料消耗。陶瓷蓄熱室應分成兩個（含兩個）以上，每個蓄熱室依次經歷蓄熱-放熱-清掃等程序，周而復始，連續工作。蓄熱室“放熱”后應立即引入適量潔凈空氣對該蓄熱室進行清掃（以保證VOCs去除率在98%以上），只有待清掃完成后才能進入“蓄熱”程序。否則殘留的VOCs隨煙氣排放到煙囪，降低了處理效果。

3.2蓄熱式催化氧化裝置(RCO)

是在催化氧化和蓄熱式焚燒法（RTO）的基礎上，采用了一系列節能設計和材料選擇繼而發展成為現代先進的有機廢氣處理技術。它的先進性主要表現在：低溫氧化（250-400℃）條件，避免了RTO由于高溫（760-900℃）而產生NOx二次氣態污染物，符合國際上越來越嚴格的環保法規要求，同時大幅降低運行溫度使運行能量大量節約。

3.3觸媒式焚化處理工藝（CTO）

觸媒式焚化處理設備是一種由觸媒與空氣接觸，使廢氣中的可燃性物質產生氧化反應，無臭無害。相對于將可燃物質加熱到著火點（700℃~800℃）來產生氧化反應的直接燃燒式 ，觸媒式焚化處理設備可以在起火點以下的低溫狀態（250℃~350℃）下產生氧化反應，因 此預熱的燃料費只需直接燃燒式的三分之一。另外觸媒式焚化處理設備內建有熱交換器，可以節省燃料費。

4.生物法(生物降解作用)

生物法是利用微生物的新陳代謝過程對多種有機物和某些無機物進行生物降解，生成CO2和H2O，進而有效去除工業廢氣中的污染物質。生物法具有設備簡單，運行維護費用低，無二次污染等優點，但對成分復雜的廢氣或難以降解的VOC，去除效果較差。體積大和停留時間長是生物法的主要問題。

生化法處理有機廢氣的機理至今仍然沒有統一的理論，普遍接受傳統的基于氣體吸收雙膜理論荷蘭學者提出的吸收一生物膜理論。一般要經歷3個步驟:1)廢氣中的有機污染物首先同水接觸并溶解于水中(即由氣膜擴散進人液膜);2)溶解于液膜中的有機物成分在濃度差的推動下進一步擴散到生物膜，進而被其中的微生物捕獲并吸收;3)進人微生物體內的有機污染物在其自身的代謝過程中被作為能源和營養物質被分解，經生物化學反應最終轉化成為無害的化合物。

目前廢氣的生物處理方法主要有以下三種:

4.1生物過濾池

生物濾池是生物過濾法中研究最早的工藝類型，工藝設備已基本成熟。生物濾池的發展大致經歷的第1階段是生物濾池，它由布氣管上覆蓋土壤構成，主要用于去除臭氣，但由于布氣不均勻、布氣系統易堵塞和濾床易干化等問題，造成系統運行不穩定。第2個階段是敞開式生物濾池，目前得到廣泛應用，濾池由混凝土構成，建于地面上。由混凝土板或塊構成布氣一濾料支撐系統。濾料一般由堆肥、泥炭、木屑和惰性顆粒等混合而成?；旌蠟V料減輕了濾層的壓實且布氣效果較好.但運行一段時間后，仍然有氣體阻力增加和溝流現象出現。該系統也可用于臭氣脫除。大部分生物濾池的處理效率在90%以上加。臭氣通過生物活性填料床時，從氣相轉移到附著在坑料床中的徽生物細胞，進被氧化分解。

臭氣通過生物活性填料床時，從氣相轉移到附著在坑料床中的微生物細胞，進而被氧化分解。

4.2生物吸收法

生物洗滌器是生物吸收法的主要設備，一般由臭氣吸收和懸浮液再生兩個階段組成.分別由吸收設備和再生反應器來完成。工藝如圖所示，臭氣吸收段的工藝過程為臭氣從吸收設備底部進入，向上流動與頂部噴淋向下流動的生物懸浮液在填料床中相互接觸，經傳質過程進入液相，再進入微生物細胞內或經微生物分泌的胞外腳作用分解，凈化后的氣體從吸收設備頂部排出，吸收設備常采用噴淋塔或鼓泡塔。

4.3生物滴池塔(床)

在生物吸收法基礎上進行改進，集合了生物過濾法和生物吸收法優點。滴濾塔所用的填料易于掛膜、不易堵塞、比表面積大。進氣方式分為水氣逆向、同向兩種，且廢氣預先除塵，溫度，PH值條件與生物濾池相近.在生物滴濾塔中存在一個連續流動的水相.整個傳質過程涉及氣、液、固3相，通過回流水可以控制滴濾池水相的PH值，可在回流水中N,P物質，為微生物提供營養元素。生物滴濾塔的反應條件(pH值、濕度等)易于控制，而生物滋池中PH值的控制則主要通過在裝填料時加入適當的固體緩沖劑來完成。一旦緩沖劑耗盡，則需更新或再生池料。

5.低溫等離子體技術(氧化反應)

低溫等離子體技術基本原理是在電場的加速作用下，經過電子碰撞過后的氣體分子,形成了具有高活性的粒子,這些活性粒子就對VOCs 分子進行氧化、降解反應,從而最終將有毒有害污染物轉化為CO2 、H2O 等無毒無害物質。

6.光催化技術(氧化反應)

光催化氧化法對VOCS 降解率可達到90％～95％。該技術是指在一定波長光照下，利用催化劑的光催化活性，使吸附劑在其表面的VOCS 發生氧化還原反應，最終將有機物氧化成CO2、H2O 及無機小分子物質。光催化氧化具有選擇性，反應條件溫和，催化劑無毒，能耗低，操作簡便，價格相對較低，無副產物生成，使用后的催化劑可用物理和化學方法再生后循環使用，對幾乎所有污染物均具凈化能力等優點。

TiO2光解催化氧化設備能高效去除揮發性有機物（VOC）、無機物、硫化氫、氨氣、硫醇類等主要污染物，以及各種惡臭味，脫臭效率最高可達99%以上。

7.臭氧分解法(氧化反應)

利用高能量電脈波沖擊氧分子，使氧分子中連接鍵斷裂而游離成氧原子，氧原子再和氧分子結合形成臭氧分子。廢氣多屬于高水溶性的成分，對於廢氣中有機溶劑(VOC)與異臭味，利用洗滌法將成份由氣相轉化成液相，讓臭氧與污染物直接反應，在反應槽內停留一定時間，使污染物與臭氧進行氧化，分 解成CO2、水或無害物。臭氧不但非常有效地可去除水中與空氣中的有機物質，最重要的是，它不會和這些有機物質起綜合反應，同時具有不殘留、不會造成環境污染等優點，且會自動回復成氧氣不殘留。

二、電子行業廢水處理

電子行業是一個重污染行業，設計生產工藝多，并且各個生產工藝產生的廢水種類差別比較大，需要進行廢水分流，單獨進行處理。對于一些污染較輕的污水，可進行綜合處理。

根據不同生產工藝產生的不同廢水，可在如下工藝中進行選擇：

1、酸堿廢水處理技術

適用于處理電子工業產生的酸堿廢水。處理酸性廢水可采用堿性藥劑中和；當廢水中含有多種金屬離子時，可根據金屬離子的不同特性，分級處置。中和反應產生大量沉渣應通過沉淀予以去除，中和處理技術宜采取pH計自動控制加藥，工藝參數應滿足HJ2006的要求，經處理后pH值為6～9。

2、含氟廢水處理技術

適用于處理電子工業產生的含氟廢水。處理方法主要有化學沉淀法、吸附法、混凝沉淀法、電凝聚法、離子交換法、反滲透膜法、液膜法、電滲析法等。在電子工業中應用最廣泛的是化學沉淀法。pH值6～9時向廢水中投加過量的鈣鹽，鈣離子與廢水中F^—生成CaF₂形成便于分離的礬花。絮凝反應完成后，在沉淀池中進淀，然后投加適量絮凝劑，使CaF₂行泥水分離，沉淀池出水進入后續處理單元，池底污泥由污泥泵抽到污泥濃縮池。濃縮后的污泥經污泥脫水設備脫水后，形成含水率60%左右的泥餅。

3、含金屬廢水處理技術

3.1化學沉淀處理法

（1）中和沉淀法

適用于處理電子工業產生的金屬離子非絡合廢水。該技術在廢水中加入NaOH等調節pH值至堿性，再加入石灰等沉淀劑充分攪拌，使金屬離子與沉淀劑反應生成沉淀。

（2）鐵氧體沉淀法

適用于處理電子工業產生的金屬離子非絡合廢水。該技術向含金屬廢水中投加鐵鹽或亞鐵鹽，用氫氧化鈉調節pH值，加熱并通入空氣進行氧化，可形成鐵氧體晶體，并使鎘等金屬離子進入鐵氧體晶格中，過濾達到處理目的。工藝條件為：亞鐵鹽投加濃度為150mg/L～200mg/L，pH值為8～10，反應溫度50℃～80℃，通入空氣氧化20min左右，沉淀30min左右。

（3）硫化物沉淀法

適用于處理印制電路板、電子元件及電子專用材料產生的金屬絡合廢水。該技術在廢水中加入Na₂S和NaHS作為沉淀劑，經過0.5h反應后沉降50min左右，形成硫化物沉淀，至沉淀池進行固液分離。

（4）硫酸亞鐵/聚合硫酸鐵沉淀法

適用于處理印制電路板、電子元件及電子專用材料產生的金屬絡合廢水。該技術利用廢水的鎘在堿性條件下，和硫酸亞鐵/聚合硫酸鐵反應會生成難溶、穩定的沉淀物，至沉淀池進行固液分離。

（5）硫化物－聚合硫酸鐵沉淀法

適用于處理印制電路板、電子元件及電子專用材料產生的金屬絡合廢水。該技術向廢水中投加破絡劑硫化鈉，使硫離子與金屬離子反應，生成難溶的金屬硫化物；通過pH控制儀投加硫酸使水體pH值為5左右，并投加硫酸亞鐵，再進入反應池，通過pH控制儀投加堿性藥劑，使水體pH值為10，再往廢水中投加絮凝劑聚丙烯酰胺（PAM）溶液，在絮凝劑PAM的凝聚及架橋作用下，廢水中形成的固體懸浮物進一步聚合形成較大顆粒的絮體，自流至沉淀池進行固液分離。工藝條件為：pH值適應范圍為5～10，攪拌沉淀時間為10min～30min。

3.2化學還原處理法

適用于處理電子工業產生的含六價鉻廢水。向廢水中投加NaHSO₃、FeSO₄、SO₂、Na₂SO₃、鐵粉等還原劑，與Cr⁶⁺發生還原反應生成Cr³⁺，調整廢水pH值為7.5～8.5時，即生成CrCr（OH）₃沉淀。當pH值>3時，Fe³⁺即生成大量沉淀，生成的氫氧化鐵有凝聚作用，有利于其他沉淀物的沉降。反應時間為：連續處理時不小于30min；間歇處理時為2h～4h。該法處理含鉻廢水效果好，但產生的污泥量大，占地面積大，出水色度偏高。

3.3電解處理法

適用于處理電子工業產生的含六價鉻濃度不大于100mg/L的廢水。在外加電流的作用下，鐵陽極發生溶解產生亞鐵離子，陰極發生析氫反應，將廢液中的Cr⁶⁺還原為Cr³⁺，經電絮凝將污染物從水體中分離。出水經加堿調整pH值，使Cr³⁺形成氫氧化鉻沉淀而被去除。

工藝條件為：進水pH值控制在2.5～3；沉淀反應pH值控制在7～8；電壓低于110V，電流20A～60A。處理后六價鉻濃度不大于0.1mg/L。

3.4離子交換處理法

適用于處理電子工業產生的離子態金屬或要求回收金屬離子的廢水。通過離子樹脂與廢水中的離子選擇性交換，重金屬離子可被離子型樹脂吸附，達到去除廢水中重金屬的目的。工藝參數應滿足HJ 2058的要求。

3.5膜分離處理法

適用于回收處理電子工業產生的金屬離子廢水。利用選擇性膜的半透性，通過外接提供能量使選擇性膜兩側出現壓差，以此為動力對重金屬離子進行分離，包括電滲析、反滲透、超濾、微濾、納濾等。工藝參數應滿足HJ 579和HJ 2058的要求。

3.6吸附處理法

適用于處理電子工業產生的金屬離子非絡合廢水。利用吸附材料具有比表面積大、吸附能力強、活性基團多等特性，使液相中的物質從水相傳遞至固相表面。常用的吸附劑有活性炭、硅藻土、沸石、殼聚糖、納米材料等。

3.7芬頓/臭氧氧化法

適用于處理電子工業產生的金屬絡合廢水。該技術通過pH控制儀投加硫酸調節pH值為3左右，再投加芬頓試劑（硫酸亞鐵和雙氧水）或臭氧，充分反應完全后，廢水排至混凝反應池，再投加堿性藥劑調節pH值為10，反應完全后，再往廢水中投加絮凝劑PAM溶液，在絮凝劑PAM的凝聚及架橋作用下，廢水中形成的固體懸浮物進一步聚合形成較大顆粒的絮體，此時再自流至沉淀池進行固液分離。對于低濃度含鎳廢水，一級處理可將總鎳降至0.5mg/L；對于高濃度含鎳廢水，二級處理后可將總鎳降至0.1mg/L。工藝參數應滿足HJ1095的相關要求。

3.8重捕劑處理法

適用于處理電子工業產生的金屬絡合廢水。該技術利用一種試劑能與廢水中的Pb²⁺、Ni²⁺、Zn²⁺、Cr⁶⁺等重金屬離子進行化學反應，在短時間內迅速生產不溶性、低含水量、容易過濾去除的絮狀沉淀，從而達到從廢水中去除重金屬離子的目的。常用的重金屬捕集劑有黃原酸酯類和二硫代氨基甲酸類衍生物（DTC類）。

3.9折點氯化處理法

適用于處理電子工業產生的銅氨絡合廢水。當廢水水量、氨氮濃度隨時間變化不大時可采用此技術。該技術向廢水中加入次氯酸鈉氧化破壞銅氨絡合物，同時沉淀出銅。

工藝條件：pH值為9.5左右，投加次氯酸鈉中的有效氯與氨氮的摩爾比Cl/N為1.6:1時，可獲得氨氮的處理效果為98.8%，銅的去除率為99.8%。工藝參數應滿足HJ2058的相關要求。

3.10磷酸銨鎂沉淀法（MAP）

適用于處理印制電路板生產的銅氨絡合廢水。當廢水中有多種金屬離子或有機物時，宜采用此技術。該技術向廢水中加入磷酸鹽（Na2HPO4·12H2O）和鎂鹽（MgCl2·6H2O或MgSO₄·7H2O），與廢水中的NH₄⁺、PO₄³⁺發生反應生成白色磷酸銨鎂（MgNH₄PO₄·6H₂O）淀進而去除氨氮，再加入堿和混凝劑去除廢水中的銅。該法使用中應考慮采取預防管道結垢、堵塞措施。工藝參數應滿足HJ2058的相關要求。

4有機廢水處理技術

4.1絮凝沉淀法

適用于處理顯示器件及光電子器件生產的彩膜廢水。該技術首先調節pH值到10～11左右和絮凝劑，使廢水中的顏料沉淀去除，沉淀池出水經過氣浮池進左右，向廢水中投加CaCl2一步去除水中殘留懸浮物。廢水處理產生的污泥進入污泥濃縮池，污泥經脫水形成泥餅。該技術現已很成熟，處理效率高。

4.2生化處理法

（1）水解酸化法

適用于處理經物化處理后的電子有機廢水。廢水可生化性較差的情況下，水解酸化的水力停留時間宜大于24h，CODCr去除率一般為10%～20%，廢水的可生化性可提高20%～40%。水解生化反應器的設計與管理應符合HJ2047的要求。

（2）厭氧生物反應器

適用于處理經物化處理后的電子有機廢水。常用的厭氧反應器形式有升流式厭氧污泥反應器（UASB）、厭氧折流板反應器（ABR）和內循環厭氧反應器（IC），電子工業廢水厭氧生物反應器的水力停留時間宜大于12h，CODCr去除率一般為40%～60%。UASB的設計與管理應符合HJ2013的要求。

（3）好氧生物法

適用于處理經物化處理后的電子有機廢水。在有氧條件下利用微生物降解有機物和氨氮等污染物的過程。主要包括活性污泥法和生物膜法。采用膜生物反應器（MBR）的，MBR的設計與管理應符合HJ2010的要求。

（4）序批式活性污泥法（SBR）

適用于處理經物化處理后的電子有機廢水。主要工藝包括循環式活性污泥工藝、連續和間歇曝氣工藝、交替式內循環活性污泥工藝等。工藝過程一般由進水、曝氣、沉淀、排水和待機五部分組成，工藝參數應滿足HJ577的要求。

（5）缺氧-好氧活性污泥法（A/O）、厭氧-缺氧-好氧活性污泥法（A2/O）

適用于經物化處理后的電子有機廢水。工藝參數應滿足HJ576的要求。

（6）生物膜法

適用于處理經物化處理后的電子有機廢水。工藝形式主要有生物濾池、生物轉盤、生物接觸氧化和生物流化床等。工藝參數應滿足HJ2009、HJ2010和HJ2014的要求。

4.3酸析法

適用于處理印制電路板產生的高濃度有機廢水。該技術加入酸將廢水的pH值調為2～4左右，廢水中的高濃度有機物在酸性條件下會析出固體，再通過固液分離可去除大部分有機物和部分重金屬，廢水的CODCr去除率可達80%左右。然后再加入聚合氯化鋁和PAM等混凝沉淀，去除沉淀物，提高CODCr去除率。工藝參數應滿足HJ2058的要求。

4.4酸析法+芬頓氧化法

適用于處理顯示器件和光電子器件產生的氧化銦錫（ITO）觸摸屏油墨廢水和印制電路板產生的低濃度有機廢水。該技術先加入硫酸將廢水的pH值調為2～3左右，廢水中的油墨在酸性條件下會析出濃膠狀凝聚物，可將懸浮狀油墨去除，廢水的CODCr去除率可達80%左右。然后再加入雙氧水和硫酸亞鐵，利用羥基自由基的強氧化能力和Fe2+混凝作用裂解油墨的雙苯環鍵，再加入聚合氯化鋁和PAM混凝沉淀，去除沉淀物，提高CODCr去除率。工藝參數應滿足HJ2058的要求。

4.5酸析法+微電解法

適用于處理印制電路板產生的低濃度有機廢水。該技術先加入硫酸將廢水的pH值調為酸性，廢水中的油墨會析出，廢水的CODCr去除率可達40%～50%。再加入含碳鐵屑浸于電解質溶液中，形成微小的Fe-C原電池，與污染物發生氧化、還原、吸附、絮凝等作用，去除廢水中的有機物。工藝參數應滿足HJ2058的要求。

5含氰廢水處理技術

5.1一般原則

a）含氰廢水處理技術參數應滿足GB/T32123、HJ1031的要求。

b）含氰廢水經過處理，游離氰達到控制要求后可進入綜合廢水處理系統，再去除重金屬離子。

c）采用堿性氯化技術處理含氰廢水時，處理過程可能產生少量氯化氰氣體，故應在密閉和通風條件下操作，并采取防護措施。收集的氣體應經過處理后，通過排氣筒排放。

d）采用電解、過氧化氫氧化技術處理含氰廢水時，處理過程產生的氨氣應收集處理達到GB14554要求后通過排氣筒排放。

5.2氧化處理法

（1）堿性氯化法

適用于處理含無機氰化物或氰合金屬基配合物（鐵氰配合物除外）的含氰廢水。利用次氯酸根的氧化性，將氰化物氧化為低毒的氰酸鹽，氰酸鹽繼續被氧化成無毒的碳酸鹽和氮氣。工藝參數應滿足HJ2058的要求。

（2）過氧化氫氧化法

適用于處理含無機氰化物或氰合金屬基配合物（鐵氰配合物除外）的含氰廢水。在pH

值大于7的反應條件下，以過氧化氫為氧化劑將廢水中的氰化物氧化為氰酸鹽，氰酸鹽再水解為碳酸鹽和氨。工藝參數應滿足HJ2058的要求。

（3）臭氧氧化法

適用于處理含無機氰化物的含氰廢水，不適用于氰合金屬基配合物的含氰廢水。在pH值大于7的反應條件下，以臭氧為氧化劑將廢水中的氰化物氧化為氰酸鹽，氰酸鹽再水解為碳酸鹽和氮氣。工藝控制條件為：氧化反應pH值9～11；一級氧化反應臭氧與總氰化物的摩爾比為1:1；二級氧化反應臭氧與總氰化物的質量比為2.5:1；氧化時間取決于總氰化物濃度和氧化溫度（一般不小于15min）。處理后廢水中總氰化物含量不大于0.3mg/L。

5.3電解處理法

適用于處理含無機氰化物或氰合金屬基配合物的高濃度含氰廢水，適用總氰化物濃度為500mg/L~40000mg/L，銅含量不大于20000mg/L。電解法是利用電化學氧化反應破壞廢水中的氰化物。在電解電壓下，廢水中的氰離子在陽極上失去電子被氧化成二氧化碳、氮氣或氨。

工藝控制條件為：電解pH值不小于10；電解電壓不低于3.5V，宜為6V～8.5V；電解時間取決于氰化物濃度（一般為2h～25h）；電解1kg總氰化物消耗10kW•h～12kW•h，水耗0.02m3/m3～0.05m3/m3。處理后廢水中總氰化物含量一般不大于50mg/L，還需采用其他方法處理至達標排放。

5.4離子交換吸附處理法

適用于處理中、低濃度含氰廢水。強堿性陰離子交換樹脂對廢水中的金屬氰化絡合物具有很強的親和力，可與溶液中的離子發生交換反應，被吸附在樹脂中的氰絡合物可用含氧化劑的酸性溶液進行洗提，釋放的氫氰酸可循環利用，實現含氰廢水的處理與回收再利用。但廢水中的鐵、亞鐵氰化物等雜質對樹脂的洗脫再生有影響。

6含氨廢水處理技術

6.1吹脫法

適用干處理高濃度氛氛廢水。處理生產過程中排放的含NH4OH和NHF廢水，通過調節pH至堿性，經脫氣塔吹脫走廢水中的氨氣，使NH濃度降至100mg/L以下，檢測合格后排入廢水站氟處理系統，再進一步除F;不合格的水將回流再處理。吹脫出來的氨氣到吸收塔中，加酸吸收成(NH4)2SO4，氣體循環回脫氣塔，(NH4)2SO4收集后委托外運。

6.2生化處理法

(1)序批式活性污泥法(SBR)

適用于處理電子工業產生的含氨廢水。該技術是按照間歇曝氣方式來運行的活性污泥廢水處理技術，該工藝及其改進工藝可通過好氧、缺氧狀態的交替運行實現生物脫氮功能。SBR的設計與運行管理應符合HJ577的要求。

(2)缺氧-好氧活性污泥法(A/O)

適用于處理電子工業產生的含氨廢水。該技術在活性污泥系統的好氧段進行硝化反應。

在缺氧段實現反硝化脫氮。好氧段溶解氧應維持在2mg/L以上，缺氧段溶解氧應維持在0.5mg/L以下，pH值宜控制在7~8之間。缺氧與好氧水力停留時間宜控制在13左右，在CN小于5的情況下宜補充反硝化碳源。工藝的設計與運行管理應符合HJ576的要求。

(3)厭氧氨氧化法(ANAMMOX)

適用干處理電子工業產生的含氛廢水。該技術前端通常需設置好氧生物處理技術先去除廢水中的有機物，水力停留時間宜為3d~5d，該技術在厭氧條件下，以氨為電子供體，以硝酸鹽或亞硝酸鹽為電子受體，將氨氧化成氧氣。該技術包含的前置短程硝化可比全程硝化節省625%的供氧量和50%的耗堿量，與常規缺氧-好氧活性污泥法相比可節約100%的碳源，但工藝控制及管理要求比較高。

7含磷廢水處理技術

7.1化學處理法

適用于處理電子工業產生的高濃度無機態含磷廢水。該方法向水中投加石灰、鋁鹽、鐵鹽，以及有機類等化學藥劑，生成不溶性的磷酸鹽沉淀，然后再利用氣浮、過濾等方法將磷從廢水中除去。這種方法去除率一般在 95%以上，但很難直接達到排放要求，同時易產生二次污染，運行成本高，產生大量污泥，上清液需排入有機廢水處理系統進一步處理。

7.2吸附處理法

適用于處理電子工業產生的含磷廢水。該方法依靠吸附劑巨大的比表面積，與廢水中的磷進行物理或化學吸附作用，以達到去除磷的目的。吸附飽和后，對吸附劑進行脫附處理可回收磷資源。

7.3生物處理法

活用干處理電子工業產生的低濃度及有機態含磷廢水。該方法通過聚磷微生物在經過厭氧段釋放磷后，在好氧段吸收超出其生長需要的幾倍的磷，實現除磷。該方法成本低、污染小，但對進水要求高，pH需在6~9左右，BOD/CODG需大于0.3，污泥量大，微生物培養困難，并且隨著高磷廢水處理要求的不斷提高，單一生物法處理含磷廢水達不到排放要求。

8生活污水處理技術

8.1 預處理技術

適用于處理電子工業產生的生活廢水。去除生活污水中的油以及顆粒較大的懸浮物。常用的設施如隔油池、化糞池、沉淀池等。電子工業常用隔油池和化糞池對生活污水進行預處理。

8.2 生化處理法

(1)序批式活性污泥法(SBR)

適用于處理電子工業產生的生活廢水。該技術是按照間歇曝氣方式來運行的活性污泥廢水處理技術，該工藝及其改進工藝可通過好氧、缺氧狀態的交替運行實現生物脫氮功能。 SBR的設計與運行管理應符合HJ577的要求。

(2)缺氧-好氧活性污泥法(A/O)

適用于處理電子工業產生的生活廢水。該技術在活性污泥系統的好氧段進行硝化反應。在缺氧段實現反硝化脫氮。工藝的設計與運行管理應符合HJ576的要求。

9綜合廢水處理技術

適用干處理電子工業產生的混合廢水。綜合廢水包括電子工業生產設施產生的廢水(包括含重金屬廢水、含氰廢水、含銅廢水、含氨廢水、含氟廢水、含磷廢水、有機廢水等)、廠區內的生活污水等。綜合廢水的主要污染物為CODc、氨氮、懸浮物、氟化物等。一般采用中和調節法/生化法進行處理。其中中和調節法即pH調節:生化法處理包括序批式活性污泥法、缺氧-好氧活性污泥法、厭氧-缺氧-好氧活性污泥法、膜生物反應器法等。參見5提到的相關處理技術。